Нажмите на изображение, чтобы посмотреть в полный размер
Описание:
ПОРОШОК ОКСИДА ГАЛЛИЯ
Белые треугольные кристаллические частицы. не растворяется в воде. Слабо растворим в горячем растворе кислоты или щелочи. Температура плавления 1900 градусов (превращается в бета-форму при 600 градусах).
Растворим в гидроксидах щелочных металлов и разбавленных неорганических кислотах.
Есть альфа и бета варианты. Тип – белый ромбический шестигранник.
Физические данные:
1. Свойства: -Ga2O3 гексагональный, а -Ga2O3 моноклинный.
Имя |
ГАЛЛИЯ(III) ОКСИД |
КАС № |
12024-21-4 |
Молекулярный вес |
187.4 |
Молекулярная формула |
Ga2O3 |
Заявление:
Он используется в качестве аналитического реагента высокой чистоты и используется при получении полупроводниковых материалов в электронной промышленности.
Применяются в качестве высокочистых аналитических реагентов и полупроводниковых материалов.
Оксид галлия (Ga2O3) представляет собой широкозонный полупроводник с Eg=4,9 эВ, а его электропроводность и светоизлучающие свойства уже давно привлекают внимание людей.
Ga2O3 — прозрачный оксидный полупроводниковый материал, имеющий широкие перспективы применения в оптоэлектронных устройствах. Он используется в качестве изолирующего слоя для полупроводниковых материалов на основе Ga и ультрафиолетовых фильтров.
Его также можно использовать в качестве химического детектора O2.
http://ru.lyringroup.com/